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技術文章

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  • 20259-23
    澤攸ZEM系列臺式電鏡精準表征微氣泡,賦能新型遞送系統突破瓶頸

    膀胱癌是全球常見的惡性腫瘤之一,其中絕大多數初診患者屬于非肌層浸潤性膀胱癌(NMIBC)。目前,經尿道切除術后輔以卡介苗(BCG)膀胱內灌注免疫治療是中高風險NMIBC患者的“金標準”方案。BCG通過激活局部免疫反應,誘導細胞毒性T淋巴細胞清除腫瘤細胞,有效降低復發與進展風險。然而,傳統BCG療法存在一個顯著缺陷:灌注的BCG會隨著患者排尿在短時間內(約2小時)被迅速清除,無法在膀胱內維持足夠長的作用時間,從而嚴重限制了其免疫激活效果和最終療效。現有的延長滯留策略,如粘附性水...

  • 20259-19
    徠卡顯微鏡光學保養指南,守護精密光學的藝術

    徠卡顯微鏡作為精密光學儀器,其成像質量和使用壽命高度依賴于日常的光學系統保養。規范的保養不僅能確保圖像始終清晰銳利,更能保護昂貴的光學部件免受不可逆的損傷。以下是徠卡顯微鏡光學保養的核心要點與科學流程。一、保養原則:預防為主,科學清潔光學保養的核心在于“防大于治”。絕大多數污染和劃痕源于不當操作。因此,養成良好的使用習慣是首要任務:使用后立即蓋上防塵罩,避免用手直接觸摸光學玻璃表面,環境應保持清潔、干燥、無震動。當清潔無法避免時,必須遵循“先吹后擦,由內而外”的科學流程。嚴禁...

  • 20259-18
    白光干涉儀的光譜干涉模式原理

    白光干涉儀是一種基于寬帶光源的精密測量儀器,其核心原理在于利用低相干光的干涉特性,實現對樣品表面形貌或薄膜厚度的高精度、非接觸測量。與單色光干涉不同,白光干涉因其寬光譜特性,使得干涉現象僅在光程差極小范圍內發生,這一特性被廣泛應用于微觀形貌檢測、光學薄膜表征及微結構分析等領域。其關鍵技術正是基于光譜干涉模式的生成與解析。一、光譜干涉的物理基礎當一束白光(寬帶光源)通過分束鏡分為兩束,一束射向參考鏡,另一束射向待測樣品后,兩束光重新匯合并發生干涉。由于白光相干長度極短(通常僅為...

  • 20259-18
    1微米誤差=100萬損失?這個黑科技專治精密測量“強迫癥”

    在微納加工領域,1μm及以下線寬電極的制備一直是科研工作者面臨的重大挑戰。傳統光刻技術受限于勻膠工藝、光學衍射極限等因素,難以實現高精度圖形化。今天,我們將揭秘如何利用澤攸科技DMD無掩膜光刻機突破這一技術瓶頸!三大關鍵技術突破1.精密勻膠控制?采用AR-P-5350光刻膠,嚴格控制膠層厚度在1μm?"低速-高速"兩步旋涂法,確保膠膜均勻性?精確控制前烘溫度和時間,提升膠膜附著力2.智能曝光系統?通過QCAD/Klayout軟件實現圖形原位設計?智能劑量優化算法自動匹配最佳曝...

  • 20259-18
    Sensofar:光學3D輪廓儀在深寬比樣品測量中的關鍵技術解析

    在微納制造和精密測量領域,高深寬比結構的精確測量一直是技術難點。本文將深入探討數值孔徑(NA)與深寬比的關系,以及如何選擇合適的光學系統來解決這一難題。數值孔徑(NA)與深寬比的關系數值孔徑(NA)是決定光學系統分辨率的關鍵參數,它直接影響物鏡的消位置色差能力和測量性能。從圖中可見:?NA越大:通光量越大,進光量減少,適合測量角度信息,具有更好的水平分辨率?NA越小:通光量越小,進光量增加,更適合測量寬深比較大的樣品應用案例一:深孔結構測量在深孔測量中,結構光路受限導致光強衰...

  • 20259-17
    Sensofar三維共聚焦白光干涉儀的優點介紹

    西班牙Sensofar三維共聚焦白光干涉儀(以旗艦型Sneox為例)的優點集中體現在多技術融合、無運動部件設計、超高速掃描、全尺度表面覆蓋、真彩色成像五大核心領域,以下為具體分析:多技術融合:一機覆蓋全場景需求Sneox創新性地將共聚焦顯微技術、白光干涉技術、相位差干涉技術和多焦面疊加技術集成于同一測量頭。用戶無需更換硬件或插拔模塊,僅通過軟件即可自動切換測量模式:共聚焦模式:以0.10μm橫向分辨率實現臨界尺寸測量,150倍物鏡下可測70°光滑表面斜率(粗糙表面達86°);...

  • 20259-10
    澤攸科技臺掃助力 SPS 工藝實現微觀組織精準調控

    在航空航天、電子器件等領域,Cu-Ni-Sn合金憑借高強度、抗腐蝕、安全無毒等優勢,成為關鍵部件的“優選材料”——比如高功率密度柴油機的連桿襯套,就依賴其優異性能保障運行。但長期以來,傳統鑄造工藝始終受困于“枝晶偏析”難題,嚴重制約合金性能提升。近日,中北大學研究團隊借助澤攸科技ZEM18臺式掃描電鏡,開展放電等離子燒結(SPS)制備Cu-6Ni-6Sn合金的系統研究,不僅成功破解偏析困境,更驗證了短流程制備技術的可行性。今天,我們就來拆解這項研究的核心突破,以及ZEM18如...

  • 20258-29
    揭秘EUV光刻核心技術:如何用納米級測量打造下一代芯片??

    一、EUV掩模:芯片制造的“光學模板”與傳統透射式光掩模不同,EUV掩模采用反射式設計(因EUV光易被材料吸收)。其表面吸收層的高度變化需精確控制,才能實現13.5nm極紫外光的精準反射與衍射。關鍵挑戰:?吸收層臺階高度誤差需?多層膜表面粗糙度要求二、Sneox測量系統:亞納米精度的三大突破1.白光干涉技術通過分析反射光干涉條紋的相位變化,實現三維形貌納米級重建,可精準捕捉吸收層微結構:2.0.01nm縱向分辨率相當于1個硅原子直徑的1/20,能檢測到肉眼不可見的膜層凸起或凹...

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